YMIBD800-17,IGBT modul,Dvosmerni IGBT,CRRC

(Simbol)

(Parametar)

(Testni uslovi)

(vrednost)

(Jedinca)

VCES

Napon kolektora-emiter

V GE = 0V, TC= 25 。C

1700

V

V GES

Napon između vrata i emitera

TC= 25 。C

± 20

V

I C

Struja kolektora-emiter

TC = 80 。C

800

А

I C(PK)

Maksimalna struja kolektora

t P=1ms

1600

А

P max

Maks. disipacija snage tranzistora

Tvj = 150 。C, TC = 25 。C

6.94

kW

I 2t

Dioda I 2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125 。C

120

kA2s

Visol

Napon izolacije – po modulu

( zajednički terminali sa osnovnom pločom),

AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 。C

4000

V

Q PD

Delimično pražnjenje – po modulu

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25 。C

10

pC

(Симбол )

(Parametar )

(Testni uslovi)

(Min )

(Navedeno )

(Maks )

(Jedinica )

I CES

CES

V GE = 0V,VCE = VCES

1

мА

V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C

25

мА

I GES

Struja curenja vrata

V GE = ±20V, VCE = 0V

4

= 0V

V GE (TH)

(TH)

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

V

VCE (sat)(*1)

Напетост за насићење колектора-излазника

V GE =15V, I C = 800A

2.30

2.60

V

V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C

2.80

3.10

V

I F

Vj

直流 DC

800

А

I FRM

Maksimalna napredna struja dioda

t P = 1ms

1600

А

VF(*1)

1ms

I F = 800A

1.70

2.00

V

I F = 800A, Tvj = 125 ° C

1.80

2.10

V

C ies

125 °C

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

60

нФ

Q g

= 25V,

napunjenje vrata

9

±15V

C res

Kapacitivnost povratnog prenosa

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

-

нФ

L M

Индуктивност модула

20

nH

R INT

Unutrašnji otpor tranzistora

270

μΩ

I SC

Struja kratkog spoja, ISC

Tvj = 125° C, VCC = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(maks) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

А

td(off)

Vreme kašnjenja isključivanja

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

ns

t f

Vreme opadanja

220

ns

E OFF

Gubitak energije pri isključivanju

220

mJ

td(on)

Vreme kašnjenja uključivanja

320

ns

t r

Vreme rasta

190

ns

EON

Gubitak energije pri uključivanju

160

mJ

Q rr

Dijodna obrnuta povratna naplata

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

260

±15V

I rr

Dijodna obrnuta povratna struja

510

А

E rec

Dijodna obrnuta povratna energija

180

mJ

td(off)

Vreme kašnjenja isključivanja

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

ns

t f

Vreme opadanja

280

ns

E OFF

Gubitak energije pri isključivanju

290

mJ

td(on)

Vreme kašnjenja uključivanja

400

ns

t r

Vreme rasta

250

ns

EON

Gubitak energije pri uključivanju

230

mJ

Q rr

Dijodna obrnuta povratna naplata

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

420

±15V

I rr

Dijodna obrnuta povratna struja

580

А

E rec

Dijodna obrnuta povratna energija

280

mJ